Wolfram-Titan-Sputtertargets

Wolfram-Titan-Sputtertargets:

Unsere Wolfram-Titan-Sputtertargets werden mithilfe modernster pulvermetallurgischer Fertigungstechniken hergestellt. Wir bieten WTi-Sputtertargets in verschiedenen Größen mit einem Durchmesser von bis zu 400 Millimetern an. Wir gehören zu den ersten Herstellern, die WTi sowohl als rotierendes als auch als planares Target entwickelt haben. Der Titangehalt unserer WTi-Targets beträgt in der Regel 10 Gew.-%.

Wolfram-Titan-Sputtertargets

Wolfram-Titan-Legierung

Anwendungsgebiete für Wolfram-Titan:
Wolfram-Titan (WTi), das 10 Gew.-% Titan enthält, wird als Metallisierungsklebstoff und Diffusionsbarriere in Mikrochips verwendet. In diesem Fall wird WTi verwendet, um die Metallisierung und Halbleiterschichten wie Kupfer von Silizium oder Aluminium von Silizium zu trennen. Ohne Diffusionsbarrieren würden sich Silizium und Kupfer zu einer intermetallischen Phase in Mikrochips verbinden, was die Leistung des Halbleiters beeinträchtigen würde. In flexiblen Dünnschichtsolarzellen (CIGS) wird eine WTi-Barriereschicht verwendet, um zu verhindern, dass Eisenionen durch den Molybdän-Rückkontakt in den Halbleiter diffundieren. Der Wirkungsgrad von CIGS-Solarzellen kann bereits durch wenige g/g Eisen stark verringert werden.

a. Pulvermetallurgie wird zur Herstellung von Wolfram-Titan-Sputtertargets eingesetzt, die in großem Umfang bei der Herstellung von Halbleitern und Dünnschichtsolarzellen eingesetzt werden.

b.WTi10wt% Dünnfilm wird in Halbleiteranwendungen als Haftschicht und Diffusionsbarriere verwendet, um die Metallisierungsschichten vom Halbleiter zu isolieren, wie z. B. Kupfer oder Aluminium von Silizium. Dadurch kann die Transistorfunktion in Mikrochips deutlich verbessert werden.

c.WTi10wt% Dünnfilm wird auch in Dünnschichtsolarzellen als Barriereschicht verwendet, um die Diffusion von Eisenionen vom Stahlsubstrat zum Molybdän-Rückkontakt und zum CIGS-Halbleiter zu verhindern. Targets aus Wolframtitan werden auch zur Abdeckung von Werkzeugen und LEDs verwendet .

In den beiden Abbildungen ist links neben dem schematischen Aufbau einer CIGS-Solarzelle eine Flip-Chip-Halbleitermetallisierung mittels WTi-Schichten dargestellt.

Die Qualität der Schicht steigt mit der Reinheit des Beschichtungsstoffes. Um ein Höchstmaß an Materialreinheit zu gewährleisten, verwenden wir von Anfang an nur reinstes Pulver und mischen es in unseren eigenen Anlagen. Vom Pulver bis zum fertigen Produkt überwachen wir jede Phase genau, um sicherzustellen, dass nur Targets mit der präzisen garantierten Dichte, Reinheit und einer homogenen Mikrostruktur unsere Anlage verlassen.

Unsere Fabrik ist in der Lage, Targets mit WTi 90/10 Gew.-%, WTi 85/15 Gew.-% sowie Wolfram-Titan-Sputtertargets mit spezieller Zusammensetzung herzustellen, die individuell angepasst werden können. Die Dichte der tatsächlichen Targets beträgt > 99 % und die typische Korngröße beträgt 100 µm. Endbenutzer können während des PVD-Prozesses konstante Erosionsraten und eine hohe Reinheit sowie eine homogene Dünnfilmbeschichtung mit einer Reinheit von bis zu 4N5 und einer speziellen Glühbehandlung, gleichmäßiger Korngröße und reduziertem Gasgehalt erzielen.

Wenn Sie Bedarf oder Fragen haben, können Sie sich gerne an uns wenden.

 

 

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